GigaDevice et Navitas dévoilent leur Digital Power Joint Lab afin d’accélérer le déploiement de solutions de gestion de l’alimentation à haut rendement
BEIJING--(BUSINESS WIRE)--GigaDevice, un important fabricant de semi-conducteurs spécialisé dans les mémoires Flash, les microcontrôleurs 32 bits (MCU), les capteurs et les produits analogiques, a annoncé le lancement officiel du Digital Power Joint Lab en collaboration avec Navitas Semiconductor (NASDAQ : NVTS). En combinant l’expertise de GigaDevice en matière de microconrôleurs GD32 avec les atouts de Navitas dans les technologies GaN à haute fréquence, grande vitesse et haut degré d’intégration, ainsi que sa technologie GeneSiC™ reposant sur l’approche « trench-assisted planar », cette collaboration est destinée à offrir des solutions de puissance numérique intelligentes et à haut rendement pour des marchés émergents tels que les centres de données d’IA, les onduleurs photovoltaïques, les systèmes de stockage d’énergie, les infrastructures de recharge et les véhicules électriques.
Avant son lancement officiel, le laboratoire a franchi plusieurs étapes technologiques importantes, notamment avec des solutions d'alimentation électrique pour serveurs de 4,5 kW et 12 kW et un micro-onduleur photovoltaïque monophasé de 500 W, répondant ainsi à la demande du secteur en matière de conception électrique haute densité et haute efficacité et démontrant la force d'innovation combinée des deux entreprises.
- La solution de micro-onduleur photovoltaïque monophasé de 500 W, propulsée par le microcontrôleur GD32G553 de GigaDevice et les circuits intégrés de puissance bidirectionnels GaNFast™ de Navitas, adopte une architecture monophasée un pour un, offrant un rendement élevé, de faibles pertes, une grande intégration et une optimisation des coûts. Grâce à une stratégie de modulation hybride avancée et à des techniques de commutation douce, elle atteint un rendement maximal supérieur à 97,5 %, un rendement CEC de plus de 97 % et une efficacité MPPT dépassant 99,9 %. L’architecture à un seul étage convertit directement le courant continu (CC) en courant alternatif (CA), supprimant l’étage intermédiaire CC-CC, ce qui améliore la densité de puissance tout en réduisant les composants et les pertes du système. L’intégration magnétique et les circuits intégrés de puissance bidirectionnels GaNFast™ réduisent encore la taille du système et le coût de la nomenclature (BOM).
- Les solutions d’alimentation pour serveurs d’IA de 4,5 kW et 12 kW, développées avec le microcontrôleur GD32G553 de GigaDevice, les circuits intégrés GaNSafe™ de Navitas et les MOSFET SiC de troisième génération, visent les serveurs d’IA, les serveurs conventionnels et les centres de données hyperscale. Le modèle de 12 kW, conforme aux normes OCP, ORv3 et CRPS, présente une conception compacte et optimisée qui dépasse le seuil d’efficacité « Ruby » de la certification 80 PLUS®, atteignant un rendement maximal de 97,8 %.

